Speicher-ICs

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W947D2HBJX5I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager8.406
W947D2HBJX6E Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager7.920
W947D2HBJX6E TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager2.844
W947D6HBHX5E Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager6.828
W947D6HBHX5E TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager6.534
W947D6HBHX5I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager8.568
W947D6HBHX5I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager3.508
W947D6HBHX6E Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager8.082
W947D6HBHX6E TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager3.816
W948D2FBJX5E Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager7.584
W948D2FBJX5E TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager5.508
W948D2FBJX5I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager7.104
W948D2FBJX5I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager7.398
W948D2FBJX6E Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager7.902
W948D2FBJX6E TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager2.880
W948D6DBHX5I Winbond Electronics	Speicher IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.688
W948D6DBHX6E Winbond Electronics	Speicher IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.716
W948D6FB2X5J Winbond Electronics	Speicher IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.996
W948D6FBHX5E Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager8.028
W948D6FBHX5E TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager4.896
W948D6FBHX5G Winbond Electronics	Speicher IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager8.406
W948D6FBHX5I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager3.960
W948D6FBHX5I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager4.626
W948D6FBHX5J Winbond Electronics	Speicher IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager6.372
W948D6FBHX6E Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager4.644
W948D6FBHX6E TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager5.220
W948D6FBHX6G Winbond Electronics	Speicher IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager7.326
W948D6FBHX6I Winbond Electronics	Speicher IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager5.022
W948D6KBHX5E Winbond Electronics	Speicher IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager8.946
W948D6KBHX5E TR Winbond Electronics	Speicher IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager4.446

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