W947D2HBJX6E TR
Nur als Referenz
Teilenummer | W947D2HBJX6E TR |
PNEDA Teilenummer | W947D2HBJX6E-TR |
Beschreibung | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA |
Hersteller | Winbond Electronics |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.844 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 30 - Dez 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
W947D2HBJX6E TR Ressourcen
Marke | Winbond Electronics |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | W947D2HBJX6E TR |
Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Datenblatt |
W947D2HBJX6E TR, W947D2HBJX6E TR Datenblatt
(Total Pages: 60, Größe: 1.160,44 KB)
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- W947D2HBJX6E TR Datasheet
- where to find W947D2HBJX6E TR
- Winbond Electronics
- Winbond Electronics W947D2HBJX6E TR
- W947D2HBJX6E TR PDF Datasheet
- W947D2HBJX6E TR Stock
- W947D2HBJX6E TR Pinout
- Datasheet W947D2HBJX6E TR
- W947D2HBJX6E TR Supplier
- Winbond Electronics Distributor
- W947D2HBJX6E TR Price
- W947D2HBJX6E TR Distributor
W947D2HBJX6E TR Technische Daten
Hersteller | Winbond Electronics |
Serie | - |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Speichergröße | 128Mb (4M x 32) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | 166MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 5ns |
Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TC) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 90-TFBGA |
Lieferantengerätepaket | 90-VFBGA (8x13) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFBGA Lieferantengerätepaket 48-FBGA (7x8.5) |
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 400ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-FBGA (8x10) |
IDT, Integrated Device Technology Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 64Kb (4K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 84-PLCC (29.21x29.21) |
Microchip Technology Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 1Kb (64 x 16) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 2MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 2ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket 8-MSOP |
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie e•MMC™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 1Tb (128G x 8) Speicherschnittstelle MMC Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 169-LFBGA Lieferantengerätepaket 169-LFBGA (14x18) |