Speicher-ICs

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W971GG6KB-18 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 350ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager2.034
W971GG6KB-25 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager15.445
W971GG6KB25I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager48.008
W971GG6KB25I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager3.348
W971GG6KB-25 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager3.672
W971GG6SB-18 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 350ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager7.992
W971GG6SB-18 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 350ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager2.718
W971GG6SB-25 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager12.846
W971GG6SB25I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager2.281
W971GG6SB25I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager7.182
W971GG6SB-25 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager4.284
W971GG8JB-25 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-WBGA (8x12.5)	Auf Lager3.276
W971GG8JB25I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-WBGA (8x12.5)	Auf Lager5.256
W971GG8KB-25 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-WBGA (8x12.5)	Auf Lager30.388
W971GG8KB25I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-WBGA (8x12.5)	Auf Lager7.074
W971GG8KB25I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-WBGA (8x12.5)	Auf Lager2.952
W971GG8KB-25 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-WBGA (8x12.5)	Auf Lager2.430
W971GG8SB-25 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-WBGA (8x12.5)	Auf Lager6.432
W971GG8SB25I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-WBGA (8x12.5)	Auf Lager5.976
W971GG8SB25I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-WBGA (8x12.5)	Auf Lager5.328
W971GG8SB-25 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-WBGA (8x12.5)	Auf Lager4.680
W9725G6IB-25 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager2.394
W9725G6JB25I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager7.560
W9725G6KB-18 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 350ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager8.748
W9725G6KB-18 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 350ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager6.138
W9725G6KB-25 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager157.951
W9725G6KB25I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager2.574
W9725G6KB25I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager7.992
W9725G6KB-25 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager19.530
W9725G8KB-18 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 350ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-WBGA (8x12.5)	Auf Lager8.892

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