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W948D2FBJX5E

W948D2FBJX5E

Nur als Referenz

Teilenummer W948D2FBJX5E
PNEDA Teilenummer W948D2FBJX5E
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 7.584
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 26 - Mai 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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W948D2FBJX5E Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW948D2FBJX5E
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W948D2FBJX5E, W948D2FBJX5E Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 962,76 KB)
PDFW948D6FBHX6I Datenblatt Cover
W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 2 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 3 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 4 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 5 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 6 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 7 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 8 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 9 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 10 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 11

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W948D2FBJX5E Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße256Mb (8M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall90-TFBGA
Lieferantengerätepaket90-VFBGA (8x13)

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Hersteller

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-VFBGA

Lieferantengerätepaket

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Speichergröße

2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

107-TFBGA

Lieferantengerätepaket

107-TFBGA

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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