W947D2HBJX6E
Nur als Referenz
| Teilenummer | W947D2HBJX6E |
| PNEDA Teilenummer | W947D2HBJX6E |
| Beschreibung | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.920 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 19 - Nov 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
W947D2HBJX6E Ressourcen
| Marke | Winbond Electronics |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | W947D2HBJX6E |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- W947D2HBJX6E Datasheet
- where to find W947D2HBJX6E
- Winbond Electronics
- Winbond Electronics W947D2HBJX6E
- W947D2HBJX6E PDF Datasheet
- W947D2HBJX6E Stock
- W947D2HBJX6E Pinout
- Datasheet W947D2HBJX6E
- W947D2HBJX6E Supplier
- Winbond Electronics Distributor
- W947D2HBJX6E Price
- W947D2HBJX6E Distributor
W947D2HBJX6E Technische Daten
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Speichergröße | 128Mb (4M x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 166MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 5ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 90-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 90-VFBGA (8x13) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Winbond Electronics Serie SpiFlash® Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 3ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-WSON (6x5) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, QDR II Speichergröße 72Mb (4M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-FBGA (15x17) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 128Kb (8K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 1Mb (64K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 48-TSOP I |
