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W948D2FBJX6E

W948D2FBJX6E

Nur als Referenz

Teilenummer W948D2FBJX6E
PNEDA Teilenummer W948D2FBJX6E
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 7.902
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

W948D2FBJX6E Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW948D2FBJX6E
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W948D2FBJX6E, W948D2FBJX6E Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 962,76 KB)
PDFW948D6FBHX6I Datenblatt Cover
W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 2 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 3 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 4 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 5 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 6 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 7 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 8 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 9 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 10 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 11

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W948D2FBJX6E Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße256Mb (8M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall90-TFBGA
Lieferantengerätepaket90-VFBGA (8x13)

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Alliance Memory, Inc.

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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