W947D6HBHX5E
Nur als Referenz
Teilenummer | W947D6HBHX5E |
PNEDA Teilenummer | W947D6HBHX5E |
Beschreibung | IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA |
Hersteller | Winbond Electronics |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.828 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 9 - Nov 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
W947D6HBHX5E Ressourcen
Marke | Winbond Electronics |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | W947D6HBHX5E |
Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- W947D6HBHX5E Datasheet
- where to find W947D6HBHX5E
- Winbond Electronics
- Winbond Electronics W947D6HBHX5E
- W947D6HBHX5E PDF Datasheet
- W947D6HBHX5E Stock
- W947D6HBHX5E Pinout
- Datasheet W947D6HBHX5E
- W947D6HBHX5E Supplier
- Winbond Electronics Distributor
- W947D6HBHX5E Price
- W947D6HBHX5E Distributor
W947D6HBHX5E Technische Daten
Hersteller | Winbond Electronics |
Serie | - |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Speichergröße | 128Mb (8M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 5ns |
Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TC) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 60-TFBGA |
Lieferantengerätepaket | 60-VFBGA (8x9) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 256Gb (32G x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 83MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-TBGA Lieferantengerätepaket 100-TBGA (12x18) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3 Speichergröße 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 195ps Spannung - Versorgung 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 96-TFBGA Lieferantengerätepaket 96-TWBGA (9x13) |
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße 32Gb (1G x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
IDT, Integrated Device Technology Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 120ns Zugriffszeit 120ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 24-CDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 24-CDIP |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie AL-J Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 16Mb (2M x 8, 1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 48-TSOP |