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W948D2FBJX5I

W948D2FBJX5I

Nur als Referenz

Teilenummer W948D2FBJX5I
PNEDA Teilenummer W948D2FBJX5I
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 7.104
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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W948D2FBJX5I Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW948D2FBJX5I
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W948D2FBJX5I, W948D2FBJX5I Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 962,76 KB)
PDFW948D6FBHX6I Datenblatt Cover
W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 2 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 3 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 4 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 5 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 6 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 7 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 8 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 9 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 10 W948D6FBHX6I Datenblatt Seite 11

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W948D2FBJX5I Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße256Mb (8M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall90-TFBGA
Lieferantengerätepaket90-VFBGA (8x13)

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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71V3556S133PFG8

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

40MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Hersteller

ABLIC U.S.A. Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

500ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

IS64WV102416BLL-10MLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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