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Transistoren

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Beschreibung
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT ARRAY 1200V 220A 833W SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A
  • Leistung - max: 833W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager2.556
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A
  • Leistung - max: 690W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager4.266
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 280A
  • Leistung - max: 780W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 4mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager7.614
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250A
  • Leistung - max: 890W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager5.724
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT PHASE LEG 600V 225A SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 225A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager6.984
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 600V 225A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 225A
  • Leistung - max: 600W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager4.500
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 225A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 220A 700W D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A
  • Leistung - max: 700W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 4mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.8nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager3.636
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 220A 690W SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A
  • Leistung - max: 690W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager3.006
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 200A 690W SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A
  • Leistung - max: 690W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager5.310
APTGT150DA170D1G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1700V 280A 780W D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 280A
  • Leistung - max: 780W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 4mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager3.294
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1700V 250A 890W SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250A
  • Leistung - max: 890W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager3.816
APTGT150DA60T1G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT BOOST CHOP 600V 225A SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 225A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager3.544
APTGT150DA60TG
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 225A 480W SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 225A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager3.240
APTGT150DH120G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Asymmetrical Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A
  • Leistung - max: 690W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager4.482
APTGT150DH170G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Asymmetrical Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250A
  • Leistung - max: 890W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager5.112
APTGT150DH60TG
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Asymmetrical Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 225A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager5.328
APTGT150DU120G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual, Common Source
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A
  • Leistung - max: 690W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager3.544
APTGT150DU120TG
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual, Common Source
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A
  • Leistung - max: 690W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager5.688
APTGT150DU170G
APTGT150DU170G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual, Common Source
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250A
  • Leistung - max: 890W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager5.436
APTGT150DU60TG
APTGT150DU60TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual, Common Source
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 225A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager5.688
APTGT150H120G
APTGT150H120G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A
  • Leistung - max: 690W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager4.554
APTGT150H170G
APTGT150H170G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250A
  • Leistung - max: 890W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager3.402
APTGT150H60TG
APTGT150H60TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 225A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager7.434
APTGT150SK120D1G
APTGT150SK120D1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 220A 700W D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A
  • Leistung - max: 700W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 4mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.8nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager3.654
APTGT150SK120G
APTGT150SK120G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 220A 690W SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A
  • Leistung - max: 690W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager5.976
APTGT150SK120TG
APTGT150SK120TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 220A 690W SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A
  • Leistung - max: 690W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1700V 280A 780W D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 280A
  • Leistung - max: 780W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 4mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager4.680
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1700V 250A 890W SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250A
  • Leistung - max: 890W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 225A 480W SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 225A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
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