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Transistoren

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APTGLQ300SK120G
APTGLQ300SK120G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Buck Chopper
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500A
  • Leistung - max: 1500W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 300A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 17.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager8.280
APTGLQ30H65T3G
APTGLQ30H65T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A
  • Leistung - max: 95W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.9nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.780
APTGLQ400A120T6G
APTGLQ400A120T6G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700A
  • Leistung - max: 1900W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager6.138
APTGLQ40DDA120CT3G
APTGLQ40DDA120CT3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual Boost Chopper
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Leistung - max: 250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager8.604
APTGLQ40H120T1G
APTGLQ40H120T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

PWR MOD IGBT4 1200V 75A SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Leistung - max: 250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager7.164
APTGLQ40HR120CT3G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Leistung - max: 250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager8.190
APTGLQ50DDA65T3G
APTGLQ50DDA65T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual Boost Chopper
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A
  • Leistung - max: 175W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager7.524
APTGLQ50H65T1G
APTGLQ50H65T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A
  • Leistung - max: 175W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager4.194
APTGLQ50H65T3G
APTGLQ50H65T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A
  • Leistung - max: 175W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP3F
Auf Lager2.430
APTGLQ50TL65T3G
APTGLQ50TL65T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Three Level Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A
  • Leistung - max: 175W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP3F
Auf Lager7.506
APTGLQ50VDA65T3G
APTGLQ50VDA65T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual Boost Chopper
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A
  • Leistung - max: 175W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP3F
Auf Lager2.772
APTGLQ600A65T6G
APTGLQ600A65T6G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1200A
  • Leistung - max: 2000W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 600µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 36.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager5.526
APTGLQ75H120T3G
APTGLQ75H120T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 130A
  • Leistung - max: 385W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager3.582
APTGLQ75H120TG
APTGLQ75H120TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 130A
  • Leistung - max: 385W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager3.240
APTGLQ75H65T1G
APTGLQ75H65T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A
  • Leistung - max: 250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager8.640
APTGLQ80HR120CT3G
APTGLQ80HR120CT3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A
  • Leistung - max: 500W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 150µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager7.704
APTGT100A1202G
APTGT100A1202G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 140A SP2

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 140A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP2
  • Lieferantengerätepaket: SP2
Auf Lager3.526
APTGT100A120D1G
APTGT100A120D1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A
  • Leistung - max: 520W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager3.852
APTGT100A120T3AG
APTGT100A120T3AG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 140A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 140A
  • Leistung - max: 595W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager5.346
APTGT100A120TG
APTGT100A120TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 140A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager5.706
APTGT100A170D1G
APTGT100A170D1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A
  • Leistung - max: 695W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8.5nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager2.538
APTGT100A170TG
APTGT100A170TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A
  • Leistung - max: 560W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager3.348
APTGT100A602G
APTGT100A602G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 600V 150A SP2

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A
  • Leistung - max: 340W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP2
  • Lieferantengerätepaket: SP2
Auf Lager7.218
APTGT100A60T1G
APTGT100A60T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A
  • Leistung - max: 340W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager5.220
APTGT100A60TG
APTGT100A60TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A
  • Leistung - max: 340W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager2.916
APTGT100BB60T3G
APTGT100BB60T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A
  • Leistung - max: 340W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager2.142
APTGT100DA120D1G
APTGT100DA120D1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 150A 520W D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A
  • Leistung - max: 520W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager4.158
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 140A 480W SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 140A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager3.420
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 140A 480W SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 140A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1700V 200A 695W D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A
  • Leistung - max: 695W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8.5nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
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