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APTGT100A170D1G

APTGT100A170D1G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGT100A170D1G
PNEDA Teilenummer APTGT100A170D1G
Beschreibung IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.538
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGT100A170D1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGT100A170D1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
APTGT100A170D1G, APTGT100A170D1G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 258,49 KB)
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APTGT100A170D1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200A
Leistung - max695W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)3mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce8.5nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallD1
LieferantengerätepaketD1

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FF600R17KE3B2NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

4300W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FMS7G10US60S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Leistung - max

66W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

0.71nF @ 30V

Eingabe

Single Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

25PM-AA

Lieferantengerätepaket

25PM-AA

APTGLQ150H120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250A

Leistung - max

750W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP6

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

156W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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