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APTGT100A170D1G Datenblatt

APTGT100A170D1G Datenblatt
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Microsemi
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: APTGT100A170D1G
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APTGT100A170D1G

Microsemi

APTGT100A170D1G

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

695W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1