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Transistoren

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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT4 MODULE TRENCH 1200V SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual Boost Chopper
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A
  • Leistung - max: 280W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager2.556
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 80A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Asymmetrical Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A
  • Leistung - max: 280W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager5.634
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 80A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual Buck Chopper
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A
  • Leistung - max: 280W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager4.590
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 80A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A
  • Leistung - max: 280W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager8.748
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE IGBT 1200V 60A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Three Level Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A
  • Leistung - max: 280W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager5.292
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 840A
  • Leistung - max: 3000W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 37.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager3.528
APTGL700SK120D3G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 840A
  • Leistung - max: 3000W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 37.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager8.712
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APTGL700U120D4G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 910A 3000W D4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 910A
  • Leistung - max: 3000W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 4mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 37.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D4
  • Lieferantengerätepaket: D4
Auf Lager5.526
APTGL90A120T1G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 110A SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 385W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager2.844
APTGL90DA120T1G
APTGL90DA120T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 110A SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 385W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager2.916
APTGL90DDA120T3G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 110A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual Boost Chopper
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 385W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager5.184
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APTGL90DH120T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 110A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Asymmetrical Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 385W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager6.390
APTGL90DSK120T3G
APTGL90DSK120T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 110A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual Buck Chopper
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 385W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager2.034
APTGL90H120T3G
APTGL90H120T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 110A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 385W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager4.464
APTGL90SK120T1G
APTGL90SK120T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 110A SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 385W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager4.536
APTGLQ100A120T3AG
APTGLQ100A120T3AG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

PWR MOD IGBT4 1200V 185A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 185A
  • Leistung - max: 650W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager5.724
APTGLQ100A120TG
APTGLQ100A120TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 170A
  • Leistung - max: 520W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager3.060
APTGLQ100A65T1G
APTGLQ100A65T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

PWR MOD IGBT4 650V 200A SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A
  • Leistung - max: 350W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager4.536
APTGLQ100DA120T1G
APTGLQ100DA120T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Boost Chopper
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 170A
  • Leistung - max: 520W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager7.686
APTGLQ100H65T3G
APTGLQ100H65T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 135A
  • Leistung - max: 350W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP3F
Auf Lager8.424
APTGLQ150A120TG
APTGLQ150A120TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250A
  • Leistung - max: 750W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8.8nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager8.298
APTGLQ150H120G
APTGLQ150H120G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250A
  • Leistung - max: 750W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8.8nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager6.588
APTGLQ200A120T3AG
APTGLQ200A120T3AG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: 2 Independent
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400A
  • Leistung - max: 1250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP3F
Auf Lager6.930
APTGLQ200H120G
APTGLQ200H120G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

PWR MOD IGBT4 1200V 350A SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 350A
  • Leistung - max: 1000W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager3.258
APTGLQ200H65G
APTGLQ200H65G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 270A
  • Leistung - max: 680W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 75µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager2.340
APTGLQ200HR120G
APTGLQ200HR120G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300A
  • Leistung - max: 1000W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A
  • Leistung - max: 165W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.43nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP1
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A
  • Leistung - max: 165W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.43nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP2
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500A
  • Leistung - max: 1500W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 300A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 17.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP6
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

PWR MOD IGBT4 650V 600A SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600A
  • Leistung - max: 1000W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 18.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
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