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APTGLQ25H120T2G

APTGLQ25H120T2G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGLQ25H120T2G
PNEDA Teilenummer APTGLQ25H120T2G
Beschreibung POWER MODULE - IGBT
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.740
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 8 - Jan 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGLQ25H120T2G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGLQ25H120T2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APTGLQ25H120T2G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationFull Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Leistung - max165W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.42V @ 15V, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce1.43nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketSP2

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

95W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

-

FS75R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

107A

Leistung - max

375W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT50DU170TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Dual, Common Source

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

APTGL90A120T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

385W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

FP15R12KE3GBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Leistung - max

105W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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