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APTGT150SK170D1G

APTGT150SK170D1G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGT150SK170D1G
PNEDA Teilenummer APTGT150SK170D1G
Beschreibung IGBT 1700V 280A 780W D1
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.680
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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APTGT150SK170D1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGT150SK170D1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
APTGT150SK170D1G, APTGT150SK170D1G Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 185,63 KB)
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APTGT150SK170D1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)280A
Leistung - max780W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)4mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce13nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallD1
LieferantengerätepaketD1

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

465A

Leistung - max

1500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FF300R12KS4PHOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

C

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.75V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

695W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

V1A-PAK

Lieferantengerätepaket

V1A-PAK

F1225R12KT4GBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Leistung - max

160W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.45nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APT40GL120JU2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Leistung - max

220W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.95nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-227

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