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APTGT150DH60TG

APTGT150DH60TG

Nur als Referenz

Teilenummer APTGT150DH60TG
PNEDA Teilenummer APTGT150DH60TG
Beschreibung IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.328
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGT150DH60TG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGT150DH60TG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APTGT150DH60TG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationAsymmetrical Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)225A
Leistung - max480W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce9.2nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP4
LieferantengerätepaketSP4

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single Switch

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2400A

Leistung - max

15500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 2400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

195nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FD1200R17KE3KB2NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APTGT50DH120TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Asymmetrical Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

277W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

DF450R12N2E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FZ600R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

700A

Leistung - max

3900W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.75V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

39nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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