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APTGT50DH120TG

APTGT50DH120TG

Nur als Referenz

Teilenummer APTGT50DH120TG
PNEDA Teilenummer APTGT50DH120TG
Beschreibung IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.292
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGT50DH120TG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGT50DH120TG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APTGT50DH120TG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationAsymmetrical Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Leistung - max277W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce3.6nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP4
LieferantengerätepaketSP4

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

C

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

580A

Leistung - max

2400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single Switch

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2400A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 2400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

120mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

230nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E10

Lieferantengerätepaket

E10

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

8.4W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 2.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

40µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

23-DIP Module (0.573", 14.55mm)

Lieferantengerätepaket

23-DIP

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

121A

Leistung - max

462W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.29V @ 15V, 60A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.5nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

16-MTP Module

Lieferantengerätepaket

MTP

IFS200B12N3E4B31BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

940W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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