APTGT150A170D1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APTGT150A170D1G |
| PNEDA Teilenummer | APTGT150A170D1G |
| Beschreibung | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.614 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTGT150A170D1G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGT150A170D1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGT150A170D1G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 280A |
| Leistung - max | 780W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 150A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 4mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | D1 |
| Lieferantengerätepaket | D1 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1200A Leistung - max 2000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 600µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 36.6nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
