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Seite 1962/2164

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APTGT300DU60G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 430A Leistung - max: 1150W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager8.136
APTGT300H60G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 430A Leistung - max: 1150W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager3.168
APTGT300SK120D3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 440A 1250W D3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 440A Leistung - max: 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 8mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D-3 Module Lieferantengerätepaket: D3	Auf Lager7.416
APTGT300SK120G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 420A 1380W SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 420A Leistung - max: 1380W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager2.628
APTGT300SK170D3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1700V 530A 1470W D3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 530A Leistung - max: 1470W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 8mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D-3 Module Lieferantengerätepaket: D3	Auf Lager2.178
APTGT300SK170G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1700V 400A 1660W SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400A Leistung - max: 1660W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 26.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager8.910
APTGT300SK60D3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT BUCK CHOPPER 600V 400A D3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400A Leistung - max: 940W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D-3 Module Lieferantengerätepaket: D3	Auf Lager4.230
APTGT300SK60G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 600V 430A 1150W SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 430A Leistung - max: 1150W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager6.606
APTGT300TL60G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MOD IGBT 3LVL INVERT SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Three Level Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400A Leistung - max: 935W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 18.4nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager228
APTGT300TL65G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 650V SP6C Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * IGBT-Typ: - Konfiguration: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Leistung - max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: - NTC-Thermistor: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.708
APTGT30A170D1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Leistung - max: 210W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D1 Lieferantengerätepaket: D1	Auf Lager4.158
APTGT30A170T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Leistung - max: 210W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager6.174
APTGT30A60T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Leistung - max: 90W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager2.952
APTGT30DA170D1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1700V 45A 210W D1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Leistung - max: 210W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D1 Lieferantengerätepaket: D1	Auf Lager2.358
APTGT30DA170T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1700V 45A 210W SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Leistung - max: 210W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager3.456
APTGT30DDA60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Dual Boost Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Leistung - max: 90W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager8.334
APTGT30DSK60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Dual Buck Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Leistung - max: 90W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager6.498
APTGT30H170T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Leistung - max: 210W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager3.762
APTGT30H60T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Leistung - max: 90W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager8.316
APTGT30H60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Leistung - max: 90W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager4.248
APTGT30SK170D1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1700V 45A 210W D1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Leistung - max: 210W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D1 Lieferantengerätepaket: D1	Auf Lager5.868
APTGT30SK170T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1700V 45A 210W SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Leistung - max: 210W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager8.388
APTGT30TL601G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module MOD IGBT 600V 50A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Three Level Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Leistung - max: 90W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager6.660
APTGT30TL60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module MOD IGBT 600V 50A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Three Level Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Leistung - max: 90W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager7.560
APTGT30X60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Leistung - max: 90W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager4.932
APTGT35A120D1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 55A Leistung - max: 205W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D1 Lieferantengerätepaket: D1	Auf Lager7.398
APTGT35A120T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 55A Leistung - max: 208W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager6.768
APTGT35DA120D1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 55A 205W D1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 55A Leistung - max: 205W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D1 Lieferantengerätepaket: D1	Auf Lager7.020
APTGT35H120T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 55A Leistung - max: 208W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager3.906
APTGT35H120T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 55A Leistung - max: 208W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager4.878

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