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APTGT300TL60G

APTGT300TL60G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGT300TL60G
PNEDA Teilenummer APTGT300TL60G
Beschreibung POWER MOD IGBT 3LVL INVERT SP6
Hersteller Microsemi
Stückpreis
1 ---------- $2.915,1935
50 ---------- $2.778,5438
100 ---------- $2.641,8941
200 ---------- $2.505,2444
400 ---------- $2.391,3696
500 ---------- $2.277,4949
Auf Lager 228
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGT300TL60G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGT300TL60G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APTGT300TL60G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationThree Level Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)400A
Leistung - max935W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 300A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)350µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce18.4nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP6
LieferantengerätepaketSP6

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Leistung - max

100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 16A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1.5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E2

Lieferantengerätepaket

E2

BSM100GB170DLCHOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

960W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IFS100B12N3E4B31BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

515W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FF900R12IP4PBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

PrimePack™2

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

900A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 900A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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