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APTGT30A60T1G

APTGT30A60T1G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGT30A60T1G
PNEDA Teilenummer APTGT30A60T1G
Beschreibung IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.952
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGT30A60T1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGT30A60T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
APTGT30A60T1G, APTGT30A60T1G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 273,64 KB)
PDFAPTGT30A60T1G Datenblatt Cover
APTGT30A60T1G Datenblatt Seite 2 APTGT30A60T1G Datenblatt Seite 3 APTGT30A60T1G Datenblatt Seite 4 APTGT30A60T1G Datenblatt Seite 5

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APTGT30A60T1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Leistung - max90W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce1.6nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP1
LieferantengerätepaketSP1

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APTGT30SK170D1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Leistung - max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

FP25R12W2T4B11BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

39A

Leistung - max

175W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.45nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FF600R12ME4CB11BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1060A

Leistung - max

4050W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

50MT060ULS

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

445W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14.7nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

10-MTP

Lieferantengerätepaket

10-MTP

MKI50-06A7

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

72A

Leistung - max

225W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

600µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E2

Lieferantengerätepaket

E2

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