APTGT30H60T3G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APTGT30H60T3G |
| PNEDA Teilenummer | APTGT30H60T3G |
| Beschreibung | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.248 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTGT30H60T3G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGT30H60T3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGT30H60T3G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Full Bridge Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Leistung - max | 90W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 250µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 1.6nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 128A Leistung - max 543W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1.25mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.04nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ISOTOP Lieferantengerätepaket ISOTOP® |
Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600A Leistung - max 1130W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 90nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Leistung - max 165W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.42V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.43nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket SP1 |
