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Transistoren

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APT46GA90JD40

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 900V 87A 284W SOT-227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: POWER MOS 8™
  • IGBT-Typ: PT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 900V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 87A
  • Leistung - max: 284W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.17nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
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APT50GF120JRDQ3
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 120A 521W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A
  • Leistung - max: 521W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.32nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
Auf Lager4.176
APT50GF60JCU2
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A
  • Leistung - max: 277W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis, Stud Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
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APT50GF60JU2
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 75A 277W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Leistung - max: 277W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 40µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.25nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager6.966
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 75A 277W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Leistung - max: 277W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 40µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.25nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
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APT50GLQ65JU2
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE - IGBT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Boost Chopper
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A
  • Leistung - max: 220W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 100A 329W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: POWER MOS 7®
  • IGBT-Typ: PT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 329W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.7nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 100A 329W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: POWER MOS 7®
  • IGBT-Typ: PT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 329W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 525µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.7nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
Auf Lager5.670
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 84A 417W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 84A
  • Leistung - max: 417W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1.1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.55nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager7.218
APT50GT120JRDQ2
APT50GT120JRDQ2

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 72A 379W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Thunderbolt IGBT®
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 72A
  • Leistung - max: 379W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
Auf Lager5.400
APT50GT120JU2
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 75A 347W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Leistung - max: 347W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager4.320
APT50GT120JU3
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 75A 347W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Leistung - max: 347W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager5.184
APT60GA60JD60
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 112A 356W SOT-227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: POWER MOS 8™
  • IGBT-Typ: PT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 112A
  • Leistung - max: 356W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 275µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8.01nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
Auf Lager5.166
APT60GF120JRDQ3
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 149A 625W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 149A
  • Leistung - max: 625W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7.08nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
Auf Lager7.470
APT60GF60JU2
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 93A 378W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 93A
  • Leistung - max: 378W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 80µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.59nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager5.832
APT60GF60JU3
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 93A 378W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 93A
  • Leistung - max: 378W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 80µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.59nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager4.194
APT60GT60JR
APT60GT60JR

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 93A 378W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Thunderbolt IGBT®
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 93A
  • Leistung - max: 378W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 80µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
Auf Lager3.454
APT65GP60J
APT65GP60J

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 130A 431W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: POWER MOS 7®
  • IGBT-Typ: PT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 130A
  • Leistung - max: 431W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
Auf Lager8.964
APT70GR120J
APT70GR120J

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 112A 543W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 112A
  • Leistung - max: 543W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7.26nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager7.434
APT70GR120JD60
APT70GR120JD60

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 112A 543W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 112A
  • Leistung - max: 543W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1.1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7.26nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager6.930
APT75GN120J
APT75GN120J

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 124A 379W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 124A
  • Leistung - max: 379W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.8nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
Auf Lager2.862
APT75GN120JDQ3
APT75GN120JDQ3

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 124A 379W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 124A
  • Leistung - max: 379W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.8nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
Auf Lager6.642
APT75GN120JDQ3G
APT75GN120JDQ3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 124A 379W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 124A
  • Leistung - max: 379W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.8nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
Auf Lager4.482
APT75GP120J
APT75GP120J

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 128A 543W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: POWER MOS 7®
  • IGBT-Typ: PT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 128A
  • Leistung - max: 543W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7.04nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
Auf Lager6.642
APT75GP120JDQ3
APT75GP120JDQ3

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 128A 543W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: POWER MOS 7®
  • IGBT-Typ: PT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 128A
  • Leistung - max: 543W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1.25mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7.04nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
Auf Lager9.780
APT75GT120JRDQ3
APT75GT120JRDQ3

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 97A 480W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Thunderbolt IGBT®
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 97A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
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APT75GT120JU2
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 100A 416W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 416W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
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APT75GT120JU3
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 416W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 151A 462W SOT227

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: POWER MOS 7®
  • IGBT-Typ: PT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 151A
  • Leistung - max: 462W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.84nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ISOTOP
  • Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 116A
  • Leistung - max: 543W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
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