APT50GF60JU2
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT50GF60JU2 |
| PNEDA Teilenummer | APT50GF60JU2 |
| Beschreibung | IGBT 600V 75A 277W SOT227 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.966 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT50GF60JU2 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT50GF60JU2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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APT50GF60JU2 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Leistung - max | 277W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 40µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2.25nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
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Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 250V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600A Leistung - max 1100W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 10V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 170nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65A Leistung - max 350W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.8V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 700µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E2 Lieferantengerätepaket E2 |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 182A Leistung - max 520W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 18.67nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall INT-A-Pak Lieferantengerätepaket INT-A-PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie C IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300A Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.75V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 20nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
