MKI50-12F7
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| Teilenummer | MKI50-12F7 |
| PNEDA Teilenummer | MKI50-12F7 |
| Beschreibung | MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.856 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MKI50-12F7 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MKI50-12F7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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MKI50-12F7 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Konfiguration | Full Bridge Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 65A |
| Leistung - max | 350W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.8V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 700µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | E2 |
| Lieferantengerätepaket | E2 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 225A Leistung - max 480W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
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