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APT50GP60J

APT50GP60J

Nur als Referenz

Teilenummer APT50GP60J
PNEDA Teilenummer APT50GP60J
Beschreibung IGBT 600V 100A 329W SOT227
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.218
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT50GP60J Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT50GP60J
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APT50GP60J Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
IGBT-TypPT
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Leistung - max329W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce5.7nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketISOTOP®

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

151A

Leistung - max

462W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 80A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.84nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

FZ1000R33HL3BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single Switch

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1000A

Leistung - max

1600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 1000A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

190nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

CM1000HA-28H

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1000A

Leistung - max

5800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.5V @ 15V, 1000A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

200nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT600SK60G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

700A

Leistung - max

2300W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

750µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

49nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

VS-20MT120UFP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

240W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.66V @ 15V, 40A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.79nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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MTP

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