APT50GP60J
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| Teilenummer | APT50GP60J |
| PNEDA Teilenummer | APT50GP60J |
| Beschreibung | IGBT 600V 100A 329W SOT227 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.218 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT50GP60J Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT50GP60J |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APT50GP60J Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| IGBT-Typ | PT |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Leistung - max | 329W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 5.7nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 151A Leistung - max 462W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 80A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.84nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ISOTOP Lieferantengerätepaket ISOTOP® |
