APT70GR120JD60
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| Teilenummer | APT70GR120JD60 |
| PNEDA Teilenummer | APT70GR120JD60 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.930 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT70GR120JD60 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT70GR120JD60 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APT70GR120JD60 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 112A |
| Leistung - max | 543W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1.1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 7.26nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600A Leistung - max 2250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 60nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max 6250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 1000A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 81nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Leistung - max 145W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 76µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32A Leistung - max 62W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 20A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.1nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
