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MUBW50-06A7

MUBW50-06A7

Nur als Referenz

Teilenummer MUBW50-06A7
PNEDA Teilenummer MUBW50-06A7
Beschreibung MODULE IGBT CBI E2
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.984
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MUBW50-06A7 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMUBW50-06A7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MUBW50-06A7, MUBW50-06A7 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 189,18 KB)
PDFMUBW50-06A7 Datenblatt Cover
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MUBW50-06A7 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationThree Phase Inverter with Brake
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Leistung - max250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)800µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce2.8nF @ 25V
EingabeThree Phase Bridge Rectifier
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallE2
LieferantengerätepaketE2

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CM200DU-12H

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

650W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

17.6nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VII25-06P1

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24.5A

Leistung - max

82W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

600µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ECO-PAC2

Lieferantengerätepaket

ECO-PAC2

FF1000R17IE4PBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1000A

Leistung - max

1000000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1000A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

81nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

320A

Leistung - max

735W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

150µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

18nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

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JAN1N5811

JAN1N5811

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DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

LTC2644IMS-L12#PBF

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