APT60GT60JR
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT60GT60JR |
| PNEDA Teilenummer | APT60GT60JR |
| Beschreibung | IGBT 600V 93A 378W SOT227 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.454 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT60GT60JR Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT60GT60JR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APT60GT60JR Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Thunderbolt IGBT® |
| IGBT-Typ | NPT |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 93A |
| Leistung - max | 378W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 60A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 80µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 1.6nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500A Leistung - max 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 24nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-3 Module Lieferantengerätepaket D3 |
Hersteller Powerex Inc. Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Leistung - max 1150W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 15nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp - Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Global Power Technologies Group Serie Amp+™ IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Leistung - max 710W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 13.7nF @ 25V Eingabe Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800A Leistung - max 3120W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 29nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Leistung - max 800W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
