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APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Nur als Referenz

Teilenummer APT46GA90JD40
PNEDA Teilenummer APT46GA90JD40
Beschreibung IGBT 900V 87A 284W SOT-227
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.986
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT46GA90JD40 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT46GA90JD40
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APT46GA90JD40 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 8™
IGBT-TypPT
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)900V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)87A
Leistung - max284W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 47A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)350µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce4.17nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketISOTOP®

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

390A

Leistung - max

1060W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

22.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 65°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4800A

Leistung - max

13000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 2400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

195nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

NXH80B120H2Q0SG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Dual Boost Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Leistung - max

103W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

910A

Leistung - max

3125W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 600A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

41nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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