Transistoren

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APTM50DUM35TG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 99A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Leistung - max: 781W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager6.966
APTM50DUM38TG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11200pF @ 25V Leistung - max: 694W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager5.832
APTM50H10FT3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4367pF @ 25V Leistung - max: 312W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager8.388
APTM50H14FT3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 168mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3259pF @ 25V Leistung - max: 208W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager5.202
APTM50H15FT1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5448pF @ 25V Leistung - max: 208W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager5.346
APTM50HM35FG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 99A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Leistung - max: 781W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager3.870
APTM50HM38FG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11200pF @ 25V Leistung - max: 694W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager5.040
APTM50HM65FT3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 51A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager4.914
APTM50HM65FTG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 51A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager3.636
APTM50HM75FT3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 25V Leistung - max: 357W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager2.178
APTM50HM75FTG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 25V Leistung - max: 357W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager4.338
APTM50HM75SCTG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5590pF @ 25V Leistung - max: 357W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager4.500
APTM50HM75STG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 25V Leistung - max: 357W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager8.964
APTM50TAM65FPG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 51A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager4.968
APTM50TDUM65PG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 51A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager4.302
APTM60A11FT1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10552pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager5.868
APTM60A23FT1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5316pF @ 25V Leistung - max: 208W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager4.212
APTM60H23FT1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5316pF @ 25V Leistung - max: 208W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager6.966
APTMC120AM08CD3AG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 200A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 490nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9500pF @ 1000V Leistung - max: 1100W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D-3 Module Lieferantengerätepaket: D3	Auf Lager6.300
APTMC120AM09CT3AG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N Channel (Phase Leg) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 295A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 200A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 40mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 644nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 1000V Leistung - max: 1250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager5.796
APTMC120AM12CT3AG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N Channel (Phase Leg) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 483nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 1000V Leistung - max: 925W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager3.978
APTMC120AM16CD3AG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 5mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4750pF @ 1000V Leistung - max: 625W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D-3 Module Lieferantengerätepaket: D3	Auf Lager3.490
APTMC120AM20CT1AG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N Channel (Phase Leg) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 2mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5960pF @ 1000V Leistung - max: 600W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager6.732
APTMC120AM25CT3AG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 80A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 4mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3800pF @ 1000V Leistung - max: 500W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager8.316
APTMC120AM55CT1AG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 1000V Leistung - max: 250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager5.562
APTMC120HM17CT3AG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays POWER MODULE - SIC MOSFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 147A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 332nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5576pF @ 1000V Leistung - max: 750W Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager2.826
APTMC120HR11CT3AG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays POWER MODULE - SIC MOSFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 1000V Leistung - max: 125W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager6.156
APTMC120HRM40CT3AG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays POWER MODULE - SIC MOSFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 12.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2788pF @ 1000V Leistung - max: 375W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager4.716
APTMC120TAM12CTPAG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 483nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 1000V Leistung - max: 925W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager4.572
APTMC120TAM17CTPAG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 147A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 20mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 1000V Leistung - max: 625W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager2.340

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