APTMC120AM16CD3AG
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| Teilenummer | APTMC120AM16CD3AG |
| PNEDA Teilenummer | APTMC120AM16CD3AG |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTMC120AM16CD3AG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTMC120AM16CD3AG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTMC120AM16CD3AG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 131A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 5mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 246nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 1000V |
| Leistung - max | 625W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | D-3 Module |
| Lieferantengerätepaket | D3 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 170A Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 85A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 492nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 22400pF @ 25V Leistung - max 1250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
