Transistoren

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BSD235N L6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 950mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager6.678
BSD340NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL SIGNAL+P-CH Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager5.418
BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 880mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager521.580
BSD840N L6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 880mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager2.070
BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A, 39A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12V Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 155°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: PG-TISON-8	Auf Lager6.912
BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A, 41A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: PG-TISON-8	Auf Lager3.006
BSG0813NDIATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A, 33A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 155°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: PG-TISON-8	Auf Lager3.276
BSL205NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager8.190
BSL205NL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager4.482
BSL207NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-1	Auf Lager6.354
BSL207NL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager8.424
BSL214NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager5.670
BSL214NL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager6.462
BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager52.638
BSL215CL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager8.424
BSL215PL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP-6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.55nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 346pF @ 15V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager3.546
BSL306NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager6.876
BSL306NL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager2.538
BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A, 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager25.860
BSL308CL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A, 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager2.340
BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager24.642
BSL308PEL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager7.236
BSL314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 294pF @ 15V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager3.294
BSL314PEL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 294pF @ 15V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager5.328
BSL315PL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP-6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager6.678
BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.4A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager2.844
BSL316CL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.4A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 94pF @ 15V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager3.096
BSL806NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 2.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 259pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager2.970
BSL806NL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 2.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 259pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: PG-TSOP-6-6	Auf Lager2.826
BSM080D12P2C008 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SIC POWER MODULE-1200V-80A Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 13.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V Leistung - max: 600W Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager4.878

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