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APTMC120AM08CD3AG

APTMC120AM08CD3AG

Nur als Referenz

Teilenummer APTMC120AM08CD3AG
PNEDA Teilenummer APTMC120AM08CD3AG
Beschreibung MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.300
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APTMC120AM08CD3AG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTMC120AM08CD3AG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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APTMC120AM08CD3AG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionSilicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 10mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs490nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds9500pF @ 1000V
Leistung - max1100W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallD-3 Module
LieferantengerätepaketD3

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14Ohm

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.2V

Vgs (th) (Max) @ Id

220mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

540mA, 430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

72pF @ 16V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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SOT-563

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.1A, 700mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

460mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

65.9pF @ 25V

Leistung - max

390mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A, 18A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1765pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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