APTMC120HRM40CT3AG
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| Teilenummer | APTMC120HRM40CT3AG |
| PNEDA Teilenummer | APTMC120HRM40CT3AG |
| Beschreibung | POWER MODULE - SIC MOSFET |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.716 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTMC120HRM40CT3AG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTMC120HRM40CT3AG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTMC120HRM40CT3AG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 73A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 50A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 12.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2788pF @ 1000V |
| Leistung - max | 375W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.3mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V Leistung - max 3.6W, 2.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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