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APTMC120HRM40CT3AG

APTMC120HRM40CT3AG

Nur als Referenz

Teilenummer APTMC120HRM40CT3AG
PNEDA Teilenummer APTMC120HRM40CT3AG
Beschreibung POWER MODULE - SIC MOSFET
Hersteller Microsemi
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTMC120HRM40CT3AG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTMC120HRM40CT3AG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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APTMC120HRM40CT3AG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionSilicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 12.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs161nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2788pF @ 1000V
Leistung - max375W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketSP3

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180mA, 100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 3V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

ES6 (1.6x1.6)

APTM100H45SCTG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V (1kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

154nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4350pF @ 25V

Leistung - max

357W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 10V

Leistung - max

520mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DFN2020-6

DMC1017UPD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta), 9.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1787pF @ 6V, 2100pF @ 6V

Leistung - max

2.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

ZXMHN6A07T8TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

166pF @ 40V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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