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APTM20HM10FG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 175A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13700pF @ 25V Leistung - max: 694W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager3.598
APTM20HM16FTG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 104A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7220pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager7.236
APTM20HM20FTG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 89A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6850pF @ 25V Leistung - max: 357W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager7.524
APTM20HM20STG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 89A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6850pF @ 25V Leistung - max: 357W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager8.730
APTM20TAM16FPG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 104A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7220pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager2.934
APTM20TDUM16PG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 104A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7220pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager6.210
APTM50A15FT1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5448pF @ 25V Leistung - max: 208W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager6.678
APTM50AM17FG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28000pF @ 25V Leistung - max: 1250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager4.446
APTM50AM19FG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 163A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 492nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 22400pF @ 25V Leistung - max: 1136W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager7.362
APTM50AM19STG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 170A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 85A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 492nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 22400pF @ 25V Leistung - max: 1250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager6.084
APTM50AM24SCG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 19600pF @ 25V Leistung - max: 1250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager4.716
APTM50AM24SG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 19600pF @ 25V Leistung - max: 1250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager7.200
APTM50AM25FTG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 149A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 74.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 29600pF @ 25V Leistung - max: 1250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager2.214
APTM50AM35FTG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 99A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Leistung - max: 781W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager6.876
APTM50AM38FTG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11200pF @ 25V Leistung - max: 694W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager3.400
APTM50AM38SCTG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11200pF @ 25V Leistung - max: 694W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager3.598
APTM50AM38STG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11200pF @ 25V Leistung - max: 694W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager6.948
APTM50AM70FT1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10800pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager6.966
APTM50DDA10T3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4367pF @ 25V Leistung - max: 312W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager3.562
APTM50DDAM65T3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 51A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager4.158
APTM50DHM35G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 99A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Leistung - max: 781W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager2.124
APTM50DHM38G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11200pF @ 25V Leistung - max: 694W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager4.230
APTM50DHM65T3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 51A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10800pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager8.676
APTM50DHM65TG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 51A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 51A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager5.580
APTM50DHM75TG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 46A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 25V Leistung - max: 357W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager8.982
APTM50DSK10T3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4367pF @ 25V Leistung - max: 312W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager7.380
APTM50DSKM65T3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 51A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager2.088
APTM50DUM17G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28000pF @ 25V Leistung - max: 1250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager8.604
APTM50DUM19G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 163A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 492nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 22400pF @ 25V Leistung - max: 1136W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager8.064
APTM50DUM25TG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 149A LP8 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 149A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 74.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 29600pF @ 25V Leistung - max: 1250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager8.532

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