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APTC90DSK12T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper) FET-Funktion: Super Junction Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V Leistung - max: 250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager2.754
APTC90H12SCTG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Super Junction Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V Leistung - max: 250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager3.816
APTC90H12T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Super Junction Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V Leistung - max: 250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager8.784
APTC90H12T2G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Super Junction Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V Leistung - max: 250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP2 Lieferantengerätepaket: SP2	Auf Lager4.500
APTC90HM60T3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Super Junction Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 59A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 100V Leistung - max: 462W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager3.456
APTC90TAM60TPG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Super Junction Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 59A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 100V Leistung - max: 462W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager7.218
APTJC120AM13VCT1AG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET SIC PHASE LEG MODULE Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager5.904
APTJC120AM25VCT1AG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET MODULE Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.348
APTM08TAM04PG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4530pF @ 25V Leistung - max: 138W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager5.861
APTM08TDUM04PG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4530pF @ 25V Leistung - max: 138W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager7.902
APTM100A12STG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 68A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 616nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 17400pF @ 25V Leistung - max: 1250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager3.546
APTM100A13DG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 65A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 25V Leistung - max: 1250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager5.058
APTM100A13SCG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 65A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 25V Leistung - max: 1250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager2.100
APTM100A13SG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 65A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 25V Leistung - max: 1250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager7.470
APTM100A18FTG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 43A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 372nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10400pF @ 25V Leistung - max: 780W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager6.930
APTM100A23SCTG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8700pF @ 25V Leistung - max: 694W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager6.876
APTM100A23STG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8700pF @ 25V Leistung - max: 694W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager3.942
APTM100A40FT1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7868pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager7.884
APTM100A46FT1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 552mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V Leistung - max: 357W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager3.384
APTM100AM90FG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 78A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 744nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20700pF @ 25V Leistung - max: 1250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager6.966
APTM100DDA35T3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager5.904
APTM100DSK35T3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager7.344
APTM100DU18TG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 43A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 372nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10400pF @ 25V Leistung - max: 780W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager2.214
APTM100DUM90G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 78A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 744nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20700pF @ 25V Leistung - max: 1250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager2.916
APTM100H18FG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 43A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 372nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10400pF @ 25V Leistung - max: 780W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager2.682
APTM100H35FT3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager7.596
APTM100H35FTG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V Leistung - max: 390W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager7.362
APTM100H45FT3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V Leistung - max: 357W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager6.228
APTM100H45SCTG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V Leistung - max: 357W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager6.822
APTM100H45STG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V Leistung - max: 357W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager4.356

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