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APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

Nur als Referenz

Teilenummer APTM100H45SCTG
PNEDA Teilenummer APTM100H45SCTG
Beschreibung MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.822
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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APTM100H45SCTG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTM100H45SCTG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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APTM100H45SCTG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
FET-Typ4 N-Channel (H-Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs540mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs154nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4350pF @ 25V
Leistung - max357W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP4
LieferantengerätepaketSP4

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Serie

-

FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.63Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

EFC4630R-TR

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

24V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-XFBGA

Lieferantengerätepaket

EFCP1313-4CC-037

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6250pF @ 25V

Leistung - max

320W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-SMD Module, 9 Leads

Lieferantengerätepaket

24-SMPD

APTSM120AM08CT6AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

370A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1360nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2300W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

IRFHM8363TR2PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1165pF @ 10V

Leistung - max

2.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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