NVMFD5C462NLWFT1G
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| Teilenummer | NVMFD5C462NLWFT1G |
| PNEDA Teilenummer | NVMFD5C462NLWFT1G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 16.686 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NVMFD5C462NLWFT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVMFD5C462NLWFT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
NVMFD5C462NLWFT1G, NVMFD5C462NLWFT1G Datenblatt
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NVMFD5C462NLWFT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 18A (Ta), 84A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 40µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Leistung - max | 3W (Ta), 50W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 25A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) Vgs (th) (Max) @ Id 5.55V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1840pF @ 800V Leistung - max 20mW (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket AG-EASY1BM-2 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 725pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 736pF @ 15V Leistung - max 6W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 5-XFLGA Lieferantengerätepaket 5-PTAB (3x2.5) |
