Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

APTM100A12STG

APTM100A12STG

Nur als Referenz

Teilenummer APTM100A12STG
PNEDA Teilenummer APTM100A12STG
Beschreibung MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Hersteller Microsemi
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.546
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTM100A12STG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTM100A12STG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
APTM100A12STG, APTM100A12STG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 314,77 KB)
PDFAPTM100A12STG Datenblatt Cover
APTM100A12STG Datenblatt Seite 2 APTM100A12STG Datenblatt Seite 3 APTM100A12STG Datenblatt Seite 4 APTM100A12STG Datenblatt Seite 5 APTM100A12STG Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • APTM100A12STG Datasheet
  • where to find APTM100A12STG
  • Microsemi

  • Microsemi APTM100A12STG
  • APTM100A12STG PDF Datasheet
  • APTM100A12STG Stock

  • APTM100A12STG Pinout
  • Datasheet APTM100A12STG
  • APTM100A12STG Supplier

  • Microsemi Distributor
  • APTM100A12STG Price
  • APTM100A12STG Distributor

APTM100A12STG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs616nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds17400pF @ 25V
Leistung - max1250W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP3
LieferantengerätepaketSP3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI1970DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

95pF @ 15V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)

DMG4800LSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.56nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

798pF @ 10V

Leistung - max

1.17W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

LN60A01ES-LF-Z

Monolithic Power Systems Inc.

Hersteller

Monolithic Power Systems Inc.

Serie

-

FET-Typ

3 N-Channel, Common Gate

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-20°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SI1557DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.2A, 770mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

235mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

470mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)

IRF7325

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2020pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Kürzlich verkauft

74HCT32D

74HCT32D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC

AS5263-HQFM

AS5263-HQFM

ams

SENSOR ANGLE 360DEG SMD

BC807-16-7-F

BC807-16-7-F

Diodes Incorporated

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

1.5KE200CA

1.5KE200CA

STMicroelectronics

TVS DIODE 171V 353V DO201

ECLAMP2410P.TCT

ECLAMP2410P.TCT

Semtech

FILTER RC(PI) 45 OHM/12PF SMD

0217002.MXP

0217002.MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 2A 250VAC 5X20MM

IXFX180N10

IXFX180N10

IXYS

MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247

SP3232EEN-L/TR

SP3232EEN-L/TR

MaxLinear, Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

PIC16F77-I/P

PIC16F77-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 40DIP

C8051F340-GQ

C8051F340-GQ

Silicon Labs

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48TQFP

KSZ8863MLLI

KSZ8863MLLI

Microchip Technology

IC ETHERNET SWITCH 3PORT 48-LQFP

EEE-FK1V100R

EEE-FK1V100R

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 10UF 20% 35V SMD