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APTM100A12STG Datenblatt

APTM100A12STG Datenblatt
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Microsemi
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: APTM100A12STG
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APTM100A12STG

Microsemi

APTM100A12STG

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V (1kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

68A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

616nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17400pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3