FDC6401N
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| Teilenummer | FDC6401N |
| PNEDA Teilenummer | FDC6401N |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.514 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FDC6401N Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDC6401N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDC6401N Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 324pF @ 10V |
| Leistung - max | 700mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | SuperSOT™-6 |
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 9-SMD Module Lieferantengerätepaket ISOPLUS-SMPD™.B |
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