APTC90H12T2G
Nur als Referenz
Teilenummer | APTC90H12T2G |
PNEDA Teilenummer | APTC90H12T2G |
Beschreibung | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.500 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTC90H12T2G Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | APTC90H12T2G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
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APTC90H12T2G Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | CoolMOS™ |
FET-Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
FET-Funktion | Super Junction |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 100V |
Leistung - max | 250W |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | SP2 |
Lieferantengerätepaket | SP2 |
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