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IRF7750TR

IRF7750TR

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7750TR
PNEDA Teilenummer IRF7750TR
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.096
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF7750TR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7750TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
IRF7750TR, IRF7750TR Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 110,98 KB)
PDFIRF7750 Datenblatt Cover
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IRF7750TR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 15V
Leistung - max1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

64W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1030pF @ 10V

Leistung - max

600mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

FDS3992

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

62mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 25V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

NVLJD4007NZTBG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

245mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7Ohm @ 125mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 5V

Leistung - max

755mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Diodes Incorporated

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.63A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V

Leistung - max

1.16W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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