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TT8J2TR

TT8J2TR

Nur als Referenz

Teilenummer TT8J2TR
PNEDA Teilenummer TT8J2TR
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 3.618
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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TT8J2TR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTT8J2TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
TT8J2TR, TT8J2TR Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 211,2 KB)
PDFTT8J2TR Datenblatt Cover
TT8J2TR Datenblatt Seite 2 TT8J2TR Datenblatt Seite 3 TT8J2TR Datenblatt Seite 4 TT8J2TR Datenblatt Seite 5 TT8J2TR Datenblatt Seite 6

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TT8J2TR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs84mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 10V
Leistung - max1.25W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket8-TSST

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3315pF @ 6V

Leistung - max

2.67W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 15V

Leistung - max

1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 12.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

FDS89161LZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

302pF @ 50V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

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