Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

TT8J2TR

TT8J2TR

Nur als Referenz

Teilenummer TT8J2TR
PNEDA Teilenummer TT8J2TR
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8
Hersteller Rohm Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.618
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 6 - Mär 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

TT8J2TR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTT8J2TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
TT8J2TR, TT8J2TR Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 211,2 KB)
PDFTT8J2TR Datenblatt Cover
TT8J2TR Datenblatt Seite 2 TT8J2TR Datenblatt Seite 3 TT8J2TR Datenblatt Seite 4 TT8J2TR Datenblatt Seite 5 TT8J2TR Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • TT8J2TR Datasheet
  • where to find TT8J2TR
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor TT8J2TR
  • TT8J2TR PDF Datasheet
  • TT8J2TR Stock

  • TT8J2TR Pinout
  • Datasheet TT8J2TR
  • TT8J2TR Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • TT8J2TR Price
  • TT8J2TR Distributor

TT8J2TR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs84mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 10V
Leistung - max1.25W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket8-TSST

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDS89161LZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

302pF @ 50V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

DMN1003UCA6-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3315pF @ 6V

Leistung - max

2.67W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

X3-DSN3518-6

SI1023X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

370mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SC-89-6

DMC2025UFDB-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta), 3.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

486pF @ 10V, 642pF @ 10V

Leistung - max

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

U-DFN2020-6 (Type B)

AON6970

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SRFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A, 42A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1171pF @ 15V

Leistung - max

5W, 4.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (5x6)

Kürzlich verkauft

AD8109ASTZ

AD8109ASTZ

Analog Devices

IC VIDEO CROSSPOINT SWIT 80LQFP

PIC16LF877A-I/L

PIC16LF877A-I/L

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 44PLCC

EP5358HUI

EP5358HUI

Intel

DC DC CONVERTER 1.8-3.3V 2W

MAX3232EUE+T

MAX3232EUE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

MMBT3904-7-F

MMBT3904-7-F

Diodes Incorporated

TRANS NPN 40V 0.2A SMD SOT23-3

XC18V04PCG44C

XC18V04PCG44C

Xilinx

IC PROM REPROGR 4MB 44-PLCC

LTC2950ITS8-1#TRMPBF

LTC2950ITS8-1#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC PB ON/OFF CONTROLLER TSOT23-8

EEE-FT1V220AR

EEE-FT1V220AR

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 22UF 20% 35V SMD

TS30013-M050QFNR

TS30013-M050QFNR

Semtech

IC REG BUCK 5V 3A 16QFN

CM2009-00QR

CM2009-00QR

ON Semiconductor

VGA PORT COMPANION-65 OHM QSOP16

MCP23017-E/SO

MCP23017-E/SO

Microchip Technology

IC I/O EXPANDER I2C 16B 28SOIC

MLX90614ESF-DCI-000-SP

MLX90614ESF-DCI-000-SP

Melexis Technologies NV

SENSOR DGTL -40C-85C TO39