APTM100A23STG
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| Teilenummer | APTM100A23STG |
| PNEDA Teilenummer | APTM100A23STG |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.942 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTM100A23STG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTM100A23STG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTM100A23STG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 36A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 308nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8700pF @ 25V |
| Leistung - max | 694W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP4 |
| Lieferantengerätepaket | SP4 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/597 FET-Typ 4 N-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket MO-036AB |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 860mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.56nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 16V Leistung - max 1.65W Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket TLM832DS |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6250pF @ 25V Leistung - max 320W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-SMD Module, 9 Leads Lieferantengerätepaket 24-SMPD |
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