CTLDM8120-M832DS TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | CTLDM8120-M832DS TR |
| PNEDA Teilenummer | CTLDM8120-M832DS-TR |
| Beschreibung | MOSFET DUAL N-CHANNEL |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.942 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CTLDM8120-M832DS TR Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CTLDM8120-M832DS TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
CTLDM8120-M832DS TR, CTLDM8120-M832DS TR Datenblatt
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CTLDM8120-M832DS TR Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 860mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.56nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 16V |
| Leistung - max | 1.65W |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | TLM832DS |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V Leistung - max 3.2W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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