IPG16N10S461ATMA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IPG16N10S461ATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPG16N10S461ATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.128 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IPG16N10S461ATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | IPG16N10S461ATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IPG16N10S461ATMA1 Datasheet
- where to find IPG16N10S461ATMA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IPG16N10S461ATMA1
- IPG16N10S461ATMA1 PDF Datasheet
- IPG16N10S461ATMA1 Stock
- IPG16N10S461ATMA1 Pinout
- Datasheet IPG16N10S461ATMA1
- IPG16N10S461ATMA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IPG16N10S461ATMA1 Price
- IPG16N10S461ATMA1 Distributor
IPG16N10S461ATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 9µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
| Leistung - max | 29W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-4 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 32.4mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 353pF @ 15V Leistung - max 2.3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-WSON (2x2) |
Hersteller Vishay Siliconix Serie PowerPAIR®, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A (Tc), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 15V, 650pF @ 15V Leistung - max 16W, 16.7W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-Power33 (3x3) |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 25V Leistung - max 3W (Ta), 24W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V Leistung - max 2.2W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 (Type D) |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 121mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 564pF @ 25V Leistung - max 32W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-1205, 8-LFPAK56 Lieferantengerätepaket LFPAK56D |
