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NVMFD5C470NLWFT1G

NVMFD5C470NLWFT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NVMFD5C470NLWFT1G
PNEDA Teilenummer NVMFD5C470NLWFT1G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.722
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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NVMFD5C470NLWFT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVMFD5C470NLWFT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NVMFD5C470NLWFT1G, NVMFD5C470NLWFT1G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 138,08 KB)
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NVMFD5C470NLWFT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds590pF @ 25V
Leistung - max3W (Ta), 24W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta), 2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC, 7.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF, 750pF @ 10V

Leistung - max

1.1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TSMT8

ALD1102SAL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IRF7509TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 25V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

Micro8™

AON3820

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

24V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.9mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1325pF @ 12V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-DFN (3x3)

UPA2672T1R-E2-AX

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

67mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

486pF @ 10V

Leistung - max

2.3W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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