APTM50AM17FG
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| Teilenummer | APTM50AM17FG |
| PNEDA Teilenummer | APTM50AM17FG |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.446 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTM50AM17FG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTM50AM17FG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTM50AM17FG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 180A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 560nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 28000pF @ 25V |
| Leistung - max | 1250W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1010pF @ 10V Leistung - max 19.8W, 21.9W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
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