APTM50AM17FG
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| Teilenummer | APTM50AM17FG |
| PNEDA Teilenummer | APTM50AM17FG |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.446 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTM50AM17FG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTM50AM17FG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTM50AM17FG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 180A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 560nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 28000pF @ 25V |
| Leistung - max | 1250W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 139A Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 350nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9875pF @ 25V Leistung - max 390W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta), 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 220mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 12V, 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.5A, 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.4nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1525pF @ 6V Leistung - max 2.3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 |
